TSMC[로이터=연합뉴스 자료 사진]
TSMC[로이터=연합뉴스 자료 사진]

조 바이든 미국 행정부가 세계 최대 파운드리(반도체 수탁생산)업체인 대만의 TSMC에 15조7000억원 규모의 자금을 지원하기로 했다.

반도체 국내 생산 확대를 견인하기 위한 반도체법(Chips Act)에 따른 조치다.

로이터ㆍ AP통신 등 외신과 연합뉴스는 8일 미 상무부 발표를 인용, 바이든 행정부가 TSMC에 반도체 공장 설립 보조금 66억달러(약 8조9000억원)를 지원한다고 보도했다.

상무부는 보조금에 더해 50억달러(6조8000억원) 규모의 저리 대출도 TSMC에 제공하기로 했다.

  '반도체지원법'에 서명한 바이든 대통령[로이터 통신]
  '반도체지원법'에 서명한 바이든 대통령[로이터 통신]

보조금 66억달러는 당초 예상됐던 50억달러(6조7000억원) 대비 30% 이상 늘어난 규모다.

TSMC는 이 같은 지원에 화답해 투자 규모를 250억달러(33조9000억원) 늘인 650억달러(88조1000억원)로 확대하고, 2030년까지 애리조나주에 2나노 공정이 활용될 세 번째 팹(fab·반도체 생산공장)을 건설한다는 계획을 발표했다.

TSMC는 이미 400억 달러를 들여 애리조나주 피닉스에 팹 두 곳을 건설 중이다. 2021년 첫 번째 팹을 착공했고, 지난해에는 두 번째 팹 건설을 시작했다.

미국 애리조나 TSMC 공장[대만 중앙통신사 캡처]
미국 애리조나 TSMC 공장[대만 중앙통신사 캡처]

TSMC는 이날 보도자료에서 "첫 번째 팹은 2025년 상반기에 4나노 기술을 활용한 생산을 시작할 예정이고, 앞서 발표한 3나노 기술에 더해 차세대 나노시트 트랜지스터를 활용해 세계 최첨단 2나노 공정 기술로 생산하는 두 번째 팹은 2028년 조업을 시작할 것"이라고 말했다.

이어 "세 번째 팹은 2나노 혹은 더 진보된 공정으로 2020년대 말부터 칩 생산을 시작할 것"이라며 세 곳의 팹이 첨단·고임금 일자리 6천개가량을 창출할 것이라고 설명했다.

이와 관련, 지나 러몬도 상무부 장관은 TSMC의 650억달러 투자는 미국 사상 외국인 직접 투자로는 최대 규모라고 말했다.

지난해 반도체법에 대한 대통령 서명 이후 내용을 발표하는 지나 러몬도 미 상무장관[AFP/게티이미지 제공]
지난해 반도체법에 대한 대통령 서명 이후 내용을 발표하는 지나 러몬도 미 상무장관[AFP/게티이미지 제공]

러몬도 장관은 또 TSMC가 생산하게 되는 반도체들이 "모든 인공지능과 우리 경제를 지탱하는 데 필요한 기술을 지탱하는 필수적인 부품이며, 21세기 군사 및 국가 안보(에 필요한) 장치"라고 강조했다.

로이터는 또 소식통을 인용해 이르면 다음 주 중으로 한국의 삼성전자에 대한 보조금 지원도 발표할 것으로 예상된다고 전했다.

블룸버그 통신은 최근 보도에서 삼성전자는 60억달러(8조2000억원) 이상의 보조금을 받을 것으로 전망했다.

삼성전자 텍사스주 반도체 공장[삼성전자 제공]
삼성전자 텍사스주 반도체 공장[삼성전자 제공]

반도체법은 반도체 기업의 미국 내 설비투자를 장려하기 위한 것으로, 미국에 공장을 짓는 기업에 반도체 생산 보조금으로 총 390억달러, 연구개발(R&D) 지원금으로 총 132억달러 등 5년간 총 527억달러(71조4000억원)를 지원하도록 했다.

미국 정부는 앞서 지난달 20일에는 자국 반도체 제조 업체 인텔에 보조금 85억달러와 대출 110억달러 등 총 195억달러(26조4000억원)에 달하는 자금을 지원한다고 발표했다.